Fios quânticos

Estruturas unidimensionais, os chamados fios quânticos, de semicondutores III-V são investigados. Eles são produzidos por MOVPE ou utilizando nanopartículas como catalizadores ou crescimento seletivo visando a fabricação de emissores de fótons únicos ou células solares.

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Fig. 1  Imagem de microscopia eletrônica de varredura (MEV) de nanofios de GaAs vistos em ângulo e pelo topo (figura menor). Os nanofios foram crescidos pelo método de crescimento seletivo em MOVPE.     

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Fig. 2 N anofio de InGaP com 200 nanômetros de diâmetro. Os contatos elétricos produzidos por litografia de feixe de elétrons. (Imagem aumentada em 25000 vezes).

Os resultados obtidos se encontram disponíveis nas seguintes referências:

  • Process calibration of HSQ mask for selective area growth (SAG) of InAs/GaAs QD-in-NW for single photon emitters In: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2015, Uberlândia.

    Kawabata, R. M. S.; JIN, J.; Pires, M. P.; SOUZA, P. L.; GRUTZMACHER, D.; KARDYNAL, B.; HARTDEGEN, H.
    Book of Abstracts. , 2015.
  • Selective Area Growth (SAG) of InAs/GaAs quantum-dot-in-wire with an N2 carrier MOCVD In: European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, 2015, Lund.

    KAWABATA, RUDY M. S.; JIN, J.; Pires, M. P.; SOUZA, P. L.; GRUTZMACHER, D.; KARDYNAL, B.; HARDTDEGEN, H.
    Book of Abstracts. , 2015.